Стандартная спецификация подложек

Применение

  • Высокочастотные силовые приборы
  • Высокомощные приборы
  • Высокотемпературные приборы
  • Оптоэлектронные приборы
  • III-V нитридных структур

Физические свойсвта 4H-SiC и 6H-SiC

Политип Кристалл 4H-SiC Кристалл 6H-SiC
Кристаллическая структура гексагональная гексагональная
Ширина запрещенной зоны 3,26 эВ 3,03 эВ
Теплопроводность (n-тип, 0,020 Ом-см)

a ~ 4,2 Вт/см ·K при 298 K

c ~ 3,7 Вт/см ·K при 298 K

Теплопроводность (HPSI)

a ~ 4,9 Вт/см ·K при 298 K

c ~ 3,9 Вт/см ·K при 298 K

Постоянная  кристаллической решетки a = 3,073 Å; c = 10,053 Å a = 3,081 Å; c = 15,117 Å
Твердость по Моссу ~ 9 ~ 9

Подробная расшифровка номера для заказа подложек приводится в технической документации.

Информация для заказа

Номер для заказа Наименование   Наличие на складе
WXXXDXX-XXXX Спецификация подложек диаметром 50,8 мм под заказ
WXXXEXX-XXXX Спецификация подложек диаметром 76,2 мм под заказ
WXXXFXX-XXXX Спецификация подложек диаметром 100,0 мм под заказ