Радиационно-устойчивые DC/DC-преобразователи для систем электроснабжения с постоянными напряжениями 28 и 42 В

Для эксплуатации DC/DC-преобразователей на околоземных орбитах или в экранированной аппаратуре часто достаточно, чтобы радиационная стойкость этих изделий в части дозовых эффектов составляла 30 крад (тип полупроводника Si). Для таких применений предлагается ряд преобразователей напряжения серии HDCD/(20–50)-H, выполненных по гибридно-плёночной технологии с питанием от сети постоянного тока номинальным напряжением 28 (27) В и 42 В (диапазон входного напряжения 20–50 В).

Производятся модули в одно-, двух- и трёхканальных исполнениях с выходными мощностями 1,5; 5; 15; 30; 65 и 110 Вт и выходными напряжениями 3,3; 5; 12; 15; ±5; ±12; ±15; +5/±12 и +5/±15 В. Конструктивно устройства выполнены в корпусах с вертикальным расположением выводов относительно плоскости основания для монтажа на печатную плату и с планарным расположением выводов относительно плоскости основания для объёмного монтажа. Преобразователи напряжения обладают необходимым набором сервисных функций и защиты, востребованных основными заказчиками.

Модули серии HDCD/(20–50)-H разрабатывались, чтобы выдерживать воздействие потоков нейтронов, что является решающим фактором при выборе преобразователей для различных применений. Гарантируется стойкость к воздействию механических, климатических, биологических факторов, в том числе: синусоидальная вибрация, механический удар, давление, рабочая температура.

Отбраковка в процессе производства за счёт дополнительных испытаний позволяет значительно повысить надёжность изделий. Кристаллы микросхем и пассивные компоненты также проверяются для оценки качества. Все чувствительные к радиации элементы испытываются на стойкость к воздействию ионизирующего излучения.

Модули разработаны и производятся Восточно-китайским научно-исследовательским институтом микроэлектроники в соответствии с требованиями национальных производственных стандартов:

• GJB 548 °C-2021 «Методы и процедуры испытаний микроэлектроники» (соответствует MIL-STD-883 «Test Methods and Procedures for Microelectronics»);
• GJB 2438B-2017 «Технические требования к гибридным микросхемам. Общая спецификация» (соответствует спецификации MIL-PRF-38534 «Hybrid Microcircuits, General Specification For»);
• GJB 360B-2009 «Методы испытаний ЭКБ и ЭРИ» (соответствует американскому стандарту MIL-STD-202 «Test Method Standard Electronic and Electrical Component Parts»);
• GJB 2440A-2006 «General Guideline for Hybrid Integrated Circuits Package»;
• GJB 4027A-2006 «DPA Analysis Methods for Military Electronic Components».

Модули взаимозаменяемы с преобразователями напряжения производства компании Crane Aerospace & Electronics' Interpoint^® и VPT (США).

Общие характеристики гибридно-плёночных радиационно-устойчивых DC/DC-преобразователей серии HDCD/(20–50)-H:

• диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C;
• диапазон температур хранения: от -65 до +150 °C;
• диапазон входного напряжения: 20–50 В, номинальные напряжения 28 и 42 В;
• входные, выходные цепи и корпус изолированы друг от друга;
• электрическая прочность изоляции 1000 В;
• фиксированная рабочая частота преобразования (от 350 до 500 кГц), типовое значение 400 кГц;
• высокое значение среднего времени наработки до отказа — MTBF (Mean Time Between Failure): от 2×105 до 3,3×106 ч (зависит от модели), рассчитанное для условий применения на орбитальном участке полёта);
• набор сервисных функций для работы в аппаратуре:
• защита от короткого замыкания, 
• пониженного входного напряжения, 
• вход дистанционного управления включением/выключением, 
• синхронизация частоты преобразования внешним синхросигналом (для некоторых моделей), 
• регулировка выходного напряжения (для некоторых одноканальных моделей), 
• подключение внешней обратной связи, 
• параллельное включение нескольких модулей (для некоторых моделей);
• уровень ионизационной дозовой стойкости 30 крад (Si), гарантируется отсутствие необратимых эффектов при воздействии ТЗЧ с величиной ЛПЭ 75 МэВ∙ см2/мг;
• рекомендуемые применения: аппаратура спутников для околоземных орбит.