Компания NEDITEK (NEDI Technology Co., Ltd), входящая в группу CETC Group (China Electronics Technology Group Corporation), разрабатывает широкую линейку высокочастотных транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС) на базе технологии нитрида галлия (GaN). Эта технология обеспечивает высокую энергоэффективность и позволяет минимизировать форм‑фактор электронных устройств.
Благодаря рабочим характеристикам GaN HEMT‑транзисторов удаётся проектировать монолитные интегральные схемы (МИС) усилителей, чья выходная мощность превышает показатели аналогов на арсениде галлия (GaAs) в 3–5 раз. Другой вариант применения — значительно сократить площадь кристалла МИС, не снижая при этом выходной мощности.
Для перспективных систем связи и радиолокации компания предлагает GaN‑транзистор NDNM01023. Он отличается высоким коэффициентом полезного действия по добавленной мощности (Power Added Efficiency, PAE) — до 50%. В импульсном режиме транзистор обеспечивает выходную мощность 50 Вт. Устройство рассчитано на работу в диапазоне частот 8,5–9,6 ГГц (X‑диапазон) и предназначено для использования в выходных каскадах импульсных передающих устройств радиолокационных систем. Входной и выходной импеданс согласованы с волновым сопротивлением 50 Ом.
Основные технические характеристики транзистора NDNM01023:
- коэффициент усиления по мощности (GP) — 8 дБ;
- напряжение питания — 28 В;
- импульсный режим работы;
- тип корпуса C129‑10;
- габариты 21×12,9×4,7 мм.
Транзистор NDNM01023 может служить заменой внутрисхемно согласованному транзистору CBT8597H‑50 (дать ссылку на даташит), КПД (PAE) которого составляет 38% при импульсной мощности 50 Вт.