Компания NEDITEK (NEDI Technology Co., Ltd), ключевой партнёр CETC Group (China Electronics Technology Group Corporation, Китайская корпорация электронных технологий), специализируется на разработке и производстве полупроводниковых СВЧ‑компонентов на основе нитрид‑галлиевой (GaN) технологии. На её базе выпускаются монолитные интегральные микросхемы усилителей мощности и мощные СВЧ‑транзисторы, рассчитанные на работу в P‑, L‑, S‑, C‑, X‑ и Ku‑диапазонах.
Продукция компании зачастую выступает эффективной заменой решений других производителей, поставки которых в настоящее время ограничены.
В радиолокационном оборудовании ранее применялся внутрисогласованный импульсный транзистор SGK0910‑120A‑R (Sumitomo) с полосой частот 9,2–10 ГГц и выходной мощностью P5дБ = 51 дБм. Его КПД по добавленной мощности (Power Added Efficiency, PAE) составляет 35%.
В качестве возможной замены этого транзистора можно рассмотреть мощный внутрисогласованный СВЧ‑транзистор NDNM01043 от компании NEDITEK. Он создан на базе HEMT‑кристалла (High Electron Mobility Transistor, транзистор с высокой подвижностью электронов) с длиной затвора 0,25 мкм. Для работы устройства требуется подача двуполярного напряжения; рабочее напряжение сток‑исток — 32 В. Транзистор способен обеспечить выходную мощность 53 дБм в диапазоне частот 9,5–10,5 ГГц при коэффициенте усиления по мощности 8 дБ и типичном КПД (PAE) 38%. Конструктивно прибор выполнен в металлокерамическом корпусе C164‑1, максимальные габариты которого 24,2×17,6×5,2 мм. Для сравнения: габаритные размеры корпуса I2F транзистора SGK0910‑120A‑R составляют 26,4×17,4×5 мм.
При замене транзистора SGK0910‑120A‑R на NDNM01043 потребуется скорректировать ряд параметров:
- изменить напряжение питания на 32/(−2…3) В (номинальное напряжение питания SGK0910‑120A‑R — 26 В);
- переопределить цепи усиления;
- скорректировать конструкцию системы отвода тепла;
- убедиться, что рабочий диапазон частот укладывается в пределы 9,5–10,5 ГГц.
